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C-31型(4英寸)高精度雙面光刻機

高精度雙面光刻機

C-31型(4英寸)高精度雙面光刻機實景圖

主要用途

主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

工作方式

本機采用版—版對準雙面同時曝光

主要構成

主要由高精度特制的翻版機構、雙視場CCD顯微顯示系統、多點光源曝光頭、真空管路系統、氣路系統、直聯式無油真空泵、防震工作臺等組成。

 主要功能特點

1.適用范圍廣

適用于φ100mm以下,厚度5mm以下的各種基片的對準曝光。

2.結構先進

該機為雙面接觸式光刻機,特制的翻版機構,能消除基片楔形誤差,保證上、下二塊掩膜版對基片上、下兩面良好的接觸,從而保證基片上、下兩面的曝光質量。

3.操作簡便

采用手動方式,特制的翻版機構

4.可靠性高

采用進口電磁閥、按鈕、定時器;真空管路系統和精密的零件加工,使本機具有非常高的可靠性。

主要技術指標

*曝光類型:單面對準雙面曝光

*曝光面積:≥φ100mm

*曝光不均勻性:≤±4%

*曝光強度:≥5mw

*曝光分辨率:≤1.5μm

*曝光模式:雙面同時曝光

*對準精度:上版與下版的對準精度≤5μm

*對準范圍:X.±5mm Y.±5mm

*旋轉范圍:Q向旋轉調節≥±5°

*顯微系統:雙視場CCD系統,物鏡0.7X~4.5X,計算機圖像處理系統,19″液晶監視器

*掩模版尺寸:3×3(英寸)、4×4(英寸)、5×5(英寸)

*基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″

*基片厚度:≤5 mm

*曝光燈功率:直流2×350W

*曝光定時:0~999.9秒可調

*電源:單相AC 220V 50Hz功耗≤1kW

*潔凈壓縮空氣壓力:≥0.4Mpa

*真空度:-0.07Mpa~-0.09Mpa

*尺寸:900×700×1500 (L×W×H)mm;

*重量:~150kg

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